Транзистор IRFB11N50A

Транзистор IRFB11N50A

Артикул: 302457

Труба MOS

14,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Рассеяние Мощности
170W (Tc)
Напряжение Сток-исток (Vds)
500 V
Входная емкость (Ciss)
1423pF @25V(Vds)
Рассеиваемая Мощность (Макс)
170W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.41 mm
Ширина
4.7 mm
Высота
15.49 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302457

Просмотренные товары

Транзистор ГТ403А
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ403А

301153
0,56 BYN
Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
Транзистор 2Т117Б Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117Б Au ОС

300751
4,20 BYN
Транзисторы 2Т117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.Масса транзистора не более 0,45 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия:...
Транзистор КТ970А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ970А Au

301268
109,80 BYN
Транзисторы КТ970А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется двухзвенная LС-цепь.Используются для...
Транзистор 2SK1102
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1102

304701
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1213
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1213

304710
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор STP4NB80FP
Полевые транзисторы

Транзистор STP4NB80FP

312050
5,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 25NF10T4
Полевые транзисторы

Транзистор 25NF10T4

275966
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор K20T60
Полевые транзисторы

Транзистор K20T60

276577
17,00 BYN
Маркировка: K20T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 166W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A TO247
Транзистор H85N06 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H85N06 d2pak (to263)

293241
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 85 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK945
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK945

304906
16,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 45 pf...
Транзистор 12N80AN
Полевые транзисторы

Транзистор 12N80AN

275889
11,84 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 390 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 315 pf...
Транзистор 2SK4145
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4145

304881
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 84 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 84 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1023
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1023

304692
34,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор RJ3077
Полевые транзисторы

Транзистор RJ3077

276694
25,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 210 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0033 Ohm
Транзистор IRFD9110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD9110

312617
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
Транзистор IRLR3705Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR3705Z

282570
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 89 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.