Транзистор IRF4104

Транзистор IRF4104

Артикул: 275684

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275684
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор H11N65 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H11N65 to220f

293157
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 49.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns Выходная емкость (Cd): 180...
Микросхема TDA7266
Микросхемы импортные

Микросхема TDA7266

267405
21,00 BYN
нашла широкое применение в бытовой технике, т.к обладает фиксированной защитой. Микросборка оснащена защитой от короткого замыкания выхода по переменному току и тепловой защитой. Имеются встроенные функции MUTE и STAND-BY. В готовых усилителях на ее основе, не требуется делать параметрические цепочки обратной связи и корректирующие RC.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDD4141
Полевые транзисторы

Транзистор FDD4141

276308
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 69 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор MMD70R900P
Полевые транзисторы

Транзистор MMD70R900P

294939
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 33N25
Полевые транзисторы

Транзистор 33N25

275988
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 36.8 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор AOD450
Полевые транзисторы

Транзистор AOD450

311838
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 6 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK1943
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1943

304754
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор FDS8947 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8947 so8

293116
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK3878
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3878

264628
18,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Транзистор IRF9956
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9956

276429
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор FIR10N80P
Полевые транзисторы

Транзистор FIR10N80P

289825
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.