Транзистор 2SK2617

Транзистор 2SK2617

Артикул: 304802

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 190 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO220FI

12,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304802

Просмотренные товары

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,5 мм 500г ( 31м)
Провод обмоточный ПЭТВ-2

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,5 мм 500г ( 31м)

313668
104,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....
Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,7 мм 500 г ( 24 м)
Провод обмоточный ПЭТВ-2

Провод обмоточный ПЭТВ-2 1,7 мм 500 г ( 24 м)

313670
108,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....
Провод обмоточный ПЭТВ-2 0,63 мм 500 г ( 175м)
Провод обмоточный ПЭТВ-2

Провод обмоточный ПЭТВ-2 0,63 мм 500 г ( 175м)

313636
108,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4435
Полевые транзисторы

Транзистор AO4435

276146
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRLR3410
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR3410

265892
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 9NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK50Z

276121
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление...
Транзистор 19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор 19NM50N

275936
11,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)
Полевые транзисторы

Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)

266033
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
Транзистор 5N60C
Полевые транзисторы

Транзистор 5N60C

276044
4,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2642
Полевые транзисторы

Транзистор K2642

276595
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 110 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор IRL3705N (Z)
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N (Z)

266075
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 65.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm Тип корпуса: TO220AB
Транзистор AP2001
Полевые транзисторы

Транзистор AP2001

276188
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C SO16
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.