Транзистор STF16N65M2 to220f

Транзистор STF16N65M2 to220f

Артикул: 293413

Наименование прибора: STF16N65M2

Маркировка: 16N65M2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 19.5 nC

Время нарастания (tr): 8.2 ns

Выходная емкость (Cd): 32 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

18,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293413

Просмотренные товары

Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276560
0,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
View
Транзистор 2SK246Y
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246Y

304793
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS6675 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6675 so8

293110
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H10NK60ZFP изол.
Полевые транзисторы

Транзистор H10NK60ZFP изол.

293154
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор TK30A06J3A
Полевые транзисторы

Транзистор TK30A06J3A

312096
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.026 Ohm Тип корпуса: TO220SIS
View
Транзистор SSF7509
Полевые транзисторы

Транзистор SSF7509

307604
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 165 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 93.6 nC Время нарастания (tr):...
View
Транзистор IRFR220 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR220 dpak (to252)

293283
3,20 BYN
Наименование прибора: IRFR220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A Максимальная температура...
View
Транзистор 2SK301
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK301

304834
6,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 400 Ohm
View
Транзистор IRL2703S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2703S

276521
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H9N90C to3p
Полевые транзисторы

Транзистор H9N90C to3p

293249
16,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 280 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.