Транзистор VND10N06

Транзистор VND10N06

Артикул: 289743

Max on-state resistance (per ch.) RDS(on) 0.3Ω Current limitation (typ) Ilim 10A Drain-Source clamp voltage VCLAMP 60V

2,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
289743

Просмотренные товары

Транзистор BC308A
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308A

303661
0,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220 Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц Корпус:...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRG4PC50S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4PC50S

276504
15,76 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 41A Максимальная температура перехода (Tj): 175 Корпус: TO247AC
View
Транзистор IRF7406
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7406

259902
3,30 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор STW11NM80 to247
Полевые транзисторы

Транзистор STW11NM80 to247

293425
17,60 BYN
Наименование прибора: STW11NM80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура...
View
Транзистор IRL2505 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2505 to220

293291
15,00 BYN
Наименование прибора: IRL2505 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 104 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 86.7 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор AO4712 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4712 soic8

293012
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор IRFP4232
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4232

276460
21,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 430 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0357 Ohm Тип...
View
Транзистор IRFD220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD220

276443
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFP90N20D
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP90N20D

276115
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 98 AСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
View
Транзистор H88N30 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H88N30 to247

293244
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 88 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.