Транзистор RJK6026DPP to220f

Транзистор RJK6026DPP to220f

Артикул: 293359

Silicon N Channel MOSFET High Speed Power Switching, Vdss=600V, Id=5A, Pd=28,5W, Rds(on)=2,0 Ohm

15,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293359

Просмотренные товары

Транзистор H6N80 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор H6N80 to3p

293225
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR220 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR220 dpak (to252)

293283
3,20 BYN
Наименование прибора: IRFR220 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.8 A Максимальная температура...
Транзистор FDS4511 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4511 so8

293108
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор RJP5001
Полевые транзисторы

Транзистор RJP5001

276706
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.7 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 17 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 300 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор SPA20N65C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPA20N65C3

275949
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор H2N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188
4,40 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
Транзистор 20N50C
Полевые транзисторы

Транзистор 20N50C

275939
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор J377
Полевые транзисторы

Транзистор J377

276552
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор MTB6N60E
Полевые транзисторы

Транзистор MTB6N60E

311967
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AO3413 (A1T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3413 (A1T)

276131
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор IRFP354
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP354

276457
22,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.