Транзистор J377

Транзистор J377

Артикул: 276552

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

TO252

3,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276552
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2Т382Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т382Б

300994
2,20 BYN
Транзисторы 2Т382Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в...
Транзистор 2Т841А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т841А

300788
10,80 BYN
Транзисторы 2Т841А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается...
Транзистор 2Т399А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т399А Au

301003
10,80 BYN
Транзисторы 2Т399А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на...
Стеклотекстолит FR-4 2,0 х 200 х 300 мм
Стеклотекстолит листы и прутки FR-4

Стеклотекстолит FR-4 2,0 х 200 х 300 мм

12613
32,00 BYN
FR-4 – это материал, получаемый из электрической стеклоткани, пропитанной эпоксидной смолой под действием тепла и давления. Данный вид полимера отличается высокой механической прочностью и диэлектрическими свойствами, а также превосходной устойчивостью ко всем видам растворителей и кислотных химических веществ. Соответствующий для компонентов высокой...
Транзистор 2Т709А2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т709А2

301038
19,40 BYN
Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-8...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор P2504BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P2504BDG dpak (to252)

293340
5,20 BYN
Наименование прибора: P2504BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 32 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.2...
Транзистор 88N30W
Полевые транзисторы

Транзистор 88N30W

276104
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
Транзистор IRF7324
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7324

259898
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm Тип корпуса:...
Транзистор APM2030N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2030N

276246
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFR5505
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5505

276479
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP4957GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4957GM

295041
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.