Транзистор IRF5803TRPBF

Транзистор IRF5803TRPBF

Артикул: 303094

Труба MOS

4,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
190 mΩ
Полярность
P-Channel
Рассеяние Мощности
2 W
Серия Деталей
IRF5803
Напряжение Сток-исток (Vds)
40 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
-3.40 A
Тепловое Сопротивление
62.5℃/W (RθJA)
Входная емкость (Ciss)
1110pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
2 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
6
Корпус/Пакет
TSOP-6
размеры
Длина
3.1 mm
Высота
1 mm
Корпус/Пакет
TSOP-6
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃
303094

Просмотренные товары

Транзистор IRFR010
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR010

293282
5,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор Si8050SD d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор Si8050SD d2pak (to263)

293397
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор FDS4801
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4801

276331
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 9N60
Полевые транзисторы

Транзистор 9N60

276119
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)

292968
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор P1504EDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P1504EDG dpak (to252)

293338
6,40 BYN
Наименование прибора: P1504EDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns...
View
Транзистор H20NM60FP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H20NM60FP to220f

293182
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK2038
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2038

292964
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
View
Транзистор TK11A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK11A50D

276726
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS6680 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6680 so8

293111
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.