Транзистор 2SK2544

Транзистор 2SK2544

Артикул: 304797

Маркировка: K2544

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 400 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304797

Просмотренные товары

Транзистор ГТ403А
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ403А

301153
0,56 BYN
Транзисторы ГТ403А германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
Транзистор 2Т117Б Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т117Б Au ОС

300751
4,20 BYN
Транзисторы 2Т117Б кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.Масса транзистора не более 0,45 г.Тип корпуса: КТ1-7.Технические условия:...
Транзистор КТ970А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ970А Au

301268
109,80 BYN
Транзисторы КТ970А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Внутри корпуса имеется двухзвенная LС-цепь.Используются для...
Транзистор 2SK1102
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1102

304701
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4438
Полевые транзисторы

Транзистор AO4438

276147
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор HN75N09AP
Полевые транзисторы

Транзистор HN75N09AP

311923
8,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275950
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)

293429
9,60 BYN
Наименование прибора: SUM65N20-30 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A Максимальная температура...
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SK2134
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2134

264821
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.32 Ohm
Транзистор FDD2582
Полевые транзисторы

Транзистор FDD2582

276307
4,92 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IGW30N60T
Полевые транзисторы

Транзистор IGW30N60T

305000
13,00 BYN
Маркировка: G30T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор STW19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STW19NM50N

312052
16,00 BYN
Маркировка: 19NM50N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.