Транзистор STP6NK60Z to-220

Транзистор STP6NK60Z to-220

Артикул: 304766
6,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 33 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-220FP

304766

Просмотренные товары

Транзистор BC308B
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308B

260099
1,06 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 180 до 460 Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2Т809А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т809А

301056
15,00 BYN
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия:...
View
Транзистор 2SC1906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1906

303512
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AO3400 (A09T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3400 (A09T)

276128
0,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.45 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 18N50 (FDPF18N50,FQPF18N50) to-220f

265400
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
View
Транзистор K494
Полевые транзисторы

Транзистор K494

276644
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Время нарастания (tr): 160...
View
Транзистор AP4506GEN
Полевые транзисторы

Транзистор AP4506GEN

276197
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(8) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор 14N36G3VL
Полевые транзисторы

Транзистор 14N36G3VL

275896
21,44 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
View
Транзистор 2SK1378
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1378

304722
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 170 pf...
View
Транзистор 2SK2749
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2749

304819
30,00 BYN
Маркировка: K2749 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор IRF9333
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9333

276423
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0194 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор 11P06 (FQP11P06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 11P06 (FQP11P06) to-220

265395
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 13 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRL5602S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL5602S

276532
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK1010
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1010

312548
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор AO3400 (A09T)
Полевые транзисторы

Транзистор AO3400 (A09T)

276128
0,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.45 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.