Транзистор NTD4804N dpak (to252)

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

Артикул: 293333

Наименование прибора: NTD4804N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 73 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm

Тип корпуса: DPAK, IPAK

9,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293333

Просмотренные товары

Микросхема 301НР1ГВ Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 301НР1ГВ Ni

299984
23,80 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K3116
Полевые транзисторы

Транзистор K3116

276621
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Время нарастания (tr): 11...
Транзистор 50N25T
Полевые транзисторы

Транзистор 50N25T

276027
13,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор PB210BD dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор PB210BD dpak (to252)

293345
4,80 BYN
Наименование прибора: PB210BD Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 330 ns...
Транзистор AOD480 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD480 dpak (to252)

293033
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.6 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 60R600CP
Полевые транзисторы

Транзистор 60R600CP

276072
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFIZ46N Изол.
Полевые транзисторы

Транзистор IRFIZ46N Изол.

293277
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 88 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 48 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 02N80C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02N80C3

275848
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.7 Ohm Тип корпуса: DPAK
Транзистор JCS7N65FB
Полевые транзисторы

Транзистор JCS7N65FB

311960
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FQA24N50
Полевые транзисторы

Транзистор FQA24N50

279507
16,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 290 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 250 ns Выходная емкость (Cd): 520...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.