Транзистор IRL3803

Транзистор IRL3803

Артикул: 276529

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 93.3 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm

TO220

6,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276529
Новый товар

Просмотренные товары

2Д213Б
Диоды (разные)

2Д213Б

313453
2,40 BYN
Диоды 2Д213Б кремниевые, эпитаксиально-планарные выпрямительные.Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Отрицательный электрод соединен с...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS6930B
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6930B

311914
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.038...
Транзистор FQPF630
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF630

311920
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC20U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20U

276492
12,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
Транзистор STU446S
Полевые транзисторы

Транзистор STU446S

276724
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A Общий заряд затвора (Qg): 102 nC Выходная емкость (Cd): 121 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор IRF3415
Полевые транзисторы

Транзистор IRF3415

275681
9,00 BYN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 43 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Транзистор DMN4468LS
Полевые транзисторы

Транзистор DMN4468LS

311875
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.52 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A Общий заряд затвора (Qg): 18.85 nC Выходная емкость (Cd): 867 pf Сопротивление сток-исток открытого...
Транзистор IPB60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPB60R165CP (6R165)

265438
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AP40P03GI to220f
Полевые транзисторы

Транзистор AP40P03GI to220f

293045
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Время нарастания (tr): 48 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор 2SK2397
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2397

292971
19,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 100 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор AP4951GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4951GM so8

293050
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)
Полевые транзисторы

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

276060
21,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Время нарастания: 35 ISOPLUS247
Транзистор Si2306BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2306BDS sot23

293382
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2306BDS Маркировка: L6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.16 A...
Транзистор FQD19N10L (19N10L)
Полевые транзисторы

Транзистор FQD19N10L (19N10L)

265431
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 14 nC Сопротивление сток-исток...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.