Транзистор IRFB4115 orig

Транзистор IRFB4115 orig

Артикул: 276917

Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Tub

15,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
150
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Vgs
0.011 ом при 62a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
380
Крутизна характеристики, S
97
276917
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема ACPL-339J-500E
Микросхемы импортные

Микросхема ACPL-339J-500E

300479
27,00 BYN
Количество Каналов1 Напряжение в Прямом Направлении1.55 V Рассеяние Мощности1200 mW Напряжение Изоляции5000 Vrms Прямой ток25 mA Максимальное прямое напряжение (Макс)1.95 V Прямой ток (макс)25 mA Время падения (Макс)40 ns Время падения (Макс)40 ns Рабочая температура (Макс)105 ℃ Рабочая температура (мин)-40 ℃ Рассеиваемая Мощность (Макс)1200 mW

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1356
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1356

304719
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
Транзистор AP4435GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP4435GM so8

293047
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6.6 ns Выходная емкость (Cd): 195 pf...
Транзистор 13NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор 13NK60Z

275893
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H4N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220

293199
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
Транзистор FDS8984
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8984

276350
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023...
Транзистор TK20J60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK20J60U

276737
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7404 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7404 so8

293269
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 33.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 2SK2717
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2717

304817
12,40 BYN
Маркировка: K2717 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор AO3401
Полевые транзисторы

Транзистор AO3401

276129
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.