Транзистор H17P10 to220

Транзистор H17P10 to220

Артикул: 293172

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 30 nC

Время нарастания (tr): 200 ns

Выходная емкость (Cd): 310 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

10,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293172

Просмотренные товары

Микросхема 564ИП4
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИП4

264329
12,00 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхема 564ИП4 представляет собой схему сквозного переноса.Содержит 122 интегральных элемента.Корпус типа 402.16-32, масса не более 2 г.Технические условия: бК0.347.064-05ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,06 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В.
Транзистор КТ819АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819АМ

301094
1,40 BYN
Транзисторы КТ819АМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AO4440
Полевые транзисторы

Транзистор AO4440

276148
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 25N06
Полевые транзисторы

Транзистор 25N06

275965
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
Транзистор BU808DFX
Каталог

Транзистор BU808DFX

313914
30,00 BYN
Высоковольтный, силовой NPN составной транзистор (Дарлингтона) BU808DFX с высокой скоростью переключения. Применяется в выходном каскаде строчной развёртки цветных телевизоров. Основные параметры BU808DFX Структура: NPN. Максимально допустимый ток коллектора (I C): 8A. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V CEO): 700V. Статический коэффициент...
Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор AP9474GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9474GM

311842
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3850 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3850 dpak (to252)

292992
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 29 pf...
Транзистор FCH067N65S3
Полевые транзисторы

Транзистор FCH067N65S3

311877
26,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRLR3705Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR3705Z

282570
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 89 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 40N50L
Полевые транзисторы

Транзистор 40N50L

276004
21,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 540 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 46 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1357
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1357

304720
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Время нарастания (tr): 18...
Транзистор IRFU3709Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU3709Z

276490
8,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 79 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 86 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
Транзистор AOD2910 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD2910 dpak (to252)

293020
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор FQP60N06
Полевые транзисторы

Транзистор FQP60N06

276050
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.