Транзистор 11N60C3 to-263

Транзистор 11N60C3 to-263

Артикул: 275874

Корпус TO-220 Вес 2 г N-Channel 600V, 11A, 125W

6,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275874
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRFB4020
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4020

276435
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFB4110 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB4110 to220

293274
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm Тип...
Транзистор IRF614
Полевые транзисторы

Транзистор IRF614

276383
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ306
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ306

292947
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 18 ns Выходная емкость (Cd): 110 pf...
Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p
Полевые транзисторы

Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p

265437
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
Транзистор AP4506GEN
Полевые транзисторы

Транзистор AP4506GEN

276197
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(8) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FQD3P50
Полевые транзисторы

Транзистор FQD3P50

283514
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 18 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRFR5305 to-252
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5305 to-252

276478
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 42 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRG7PH46U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG7PH46U

276509
35,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 390W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.00V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 108A TO247
Транзистор AP9575GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9575GH dpak (to252)

293055
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.