Транзистор H17P06 to220

Транзистор H17P06 to220

Артикул: 293171

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 21 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.135 Ohm

6,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293171

Просмотренные товары

Микросхема ACPL-339J-500E
Микросхемы импортные

Микросхема ACPL-339J-500E

300479
27,00 BYN
Количество Каналов1 Напряжение в Прямом Направлении1.55 V Рассеяние Мощности1200 mW Напряжение Изоляции5000 Vrms Прямой ток25 mA Максимальное прямое напряжение (Макс)1.95 V Прямой ток (макс)25 mA Время падения (Макс)40 ns Время падения (Макс)40 ns Рабочая температура (Макс)105 ℃ Рабочая температура (мин)-40 ℃ Рассеиваемая Мощность (Макс)1200 mW
View
Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View
Транзистор FDB6670AL
Полевые транзисторы

Транзистор FDB6670AL

276306
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7414
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7414

312615
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор STP6NK60ZPFP
Полевые транзисторы

Транзистор STP6NK60ZPFP

260378
4,97 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H5NK80ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H5NK80ZFP to220f

293211
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK3918 to-252
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3918 to-252

264846
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 14 ns Выходная емкость (Cd): 310 pf...
View
Транзистор APM2030N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2030N

276246
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор AOD2910
Полевые транзисторы

Транзистор AOD2910

311836
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 53.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор 100N06P
Полевые транзисторы

Транзистор 100N06P

275863
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 130 ns Выходная емкость (Cd): 1060...
View
Транзистор IRL1404ZS
Полевые транзисторы

Транзистор IRL1404ZS

276518
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 200 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.