Транзистор IRF5210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Наименование прибора: IRF5210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO220AB