Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)

Транзистор SUM65N20-30 d2pak (to263)

Артикул: 293429

Наименование прибора: SUM65N20-30

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 375 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 90 nC

Время нарастания (tr): 220 ns

Выходная емкость (Cd): 480 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO-263

9,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293429

Просмотренные товары

Микросхема 133ТМ2 Au форм.
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ТМ2 Au форм.

299368
6,40 BYN
представляют собой 2 D-триггера.Предназначены для работы в узлах и блоках аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Транзистор 2SC3973B
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3973B

303877
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Статический коэффициент передачи тока...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 35N60C3

275990
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор Si2301BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2301BDS sot23

293381
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2301BDS Маркировка: L1* Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.95 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A...
Транзистор H90N03 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H90N03 so8

293246
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006...
Транзистор HUF75637S
Полевые транзисторы

Транзистор HUF75637S

311924
10,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 155 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1464
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1464

292958
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 500 pf...
Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2231 sc-64 (ipak,to251)

292968
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор PB210BD dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор PB210BD dpak (to252)

293345
4,80 BYN
Наименование прибора: PB210BD Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 330 ns...
Транзистор JCS7N65FB
Полевые транзисторы

Транзистор JCS7N65FB

311960
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.