Транзистор RJP30E3

Транзистор RJP30E3

Артикул: 276702

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.6V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A

Время нарастания: 150

13,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276702
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDD86250
Полевые транзисторы

Транзистор FDD86250

276316
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 132 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K1377
Полевые транзисторы

Транзистор K1377

276564
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор H26NM60 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to247

293187
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFU120N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU120N

312623
6,80 BYN
Корпус - I-PAK Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжение затвора 20 В Сопротивление в открытом состоянии 210.0 мОм Ток стока 9.1 А Заряд затвора 16.7 нКл Термосопротивление 3.2 К/Вт Рассеиваемая мощность 39 Вт
Транзистор IRFD123
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD123

276442
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 150...
Транзистор H7P1002DS dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H7P1002DS dpak (to252)

293239
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 45 nC Время нарастания (tr): 45...
Транзистор 2SK2624
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2624

304803
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 165 pf...
Транзистор 2SK905
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK905

304902
24,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 6NK70ZF
Полевые транзисторы

Транзистор 6NK70ZF

276079
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 80NF55L-06T4
Полевые транзисторы

Транзистор 80NF55L-06T4

276098
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор FKP300A
Полевые транзисторы

Транзистор FKP300A

311918
51,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AP4563GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4563GH

276205
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.13 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.