Транзистор K126

Транзистор K126

Артикул: 276562

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

SOP4

8,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276562
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1507
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1507

292959
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор TK15E60U
Полевые транзисторы

Транзистор TK15E60U

312095
11,00 BYN
Маркировка: K15E60U Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор IRGP35B60PD
Полевые транзисторы

Транзистор IRGP35B60PD

276514
47,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 308W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A TO247AC
View
Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)

265418
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRG4BC30FD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30FD-S

276495
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31A Корпус: D2Pak
View
Транзистор AP9467GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9467GH dpak (to252)

293054
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор RFP70N06
Полевые транзисторы

Транзистор RFP70N06

312633
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор H17NF25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H17NF25 dpak (to252)

293170
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор STF11N65M2
Полевые транзисторы

Транзистор STF11N65M2

312040
9,60 BYN
Маркировка: 11N65M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор H50N03 d2pak (to263)
Полевые транзисторы

Транзистор H50N03 d2pak (to263)

293203
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор 2SJ6822
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ6822

304686
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz...
View
Транзистор IPD30N10
Полевые транзисторы

Транзистор IPD30N10

304997
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор AF4953P
Полевые транзисторы

Транзистор AF4953P

311828
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.