Транзистор K1317

Транзистор K1317

Артикул: 276563

Корпус TO-218
Вес 8 г
N-Channel 1500V, 2.5A, 100W

14,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276563
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема TA8127F
Микросхемы импортные

Микросхема TA8127F

305976
24,00 BYN
TA8127N и TA8127F - это микросхемы тюнера AM / FM с 1 микросхемой, которые разработаны для портативных радиостанций и радиоприемников для наушников 3 В. Особенности • Встроенные FM F / E, AM / FM IF и FM Детекторная катушка MPX AM и конденсатор связи ПЧ не требуются. · Компактный корпус TA8127N: термоусадочный 24-контактный разъем DIP (шаг 1,78 мм)...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7484 so8
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7484 so8

293270
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IPP60R190C6 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IPP60R190C6 to220

293262
22,80 BYN
Наименование прибора: IPP60R190C6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.2 A Общий заряд затвора (Qg): 58 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO220
View
Транзистор 1NK60Z so-8
Полевые транзисторы

Транзистор 1NK60Z so-8

275937
1,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор 2SJ557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ557

304673
27,60 BYN
Маркировка: XB Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная...
View
Транзистор AP40T03GH (40T03)
Полевые транзисторы

Транзистор AP40T03GH (40T03)

265423
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 28 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор IRFD9024
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD9024

276446
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.6 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор APM4412
Полевые транзисторы

Транзистор APM4412

276254
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 233 pf...
View
Транзистор APM1101N
Полевые транзисторы

Транзистор APM1101N

276245
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.