Транзистор 2SA1386

Транзистор 2SA1386

Артикул: 302967

Двухполюсный плоскостной транзистор

32,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Частота
40 MHz
Количество Стежков
3
Полярность
PNP
Рассеяние Мощности
130 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
160 V
hFE Min
50 @5A, 4V
Максимальная входная мощность
130 W
Усиление постоянного тока (hFE)
50
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Температура соединения (Макс)
150 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
130000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-3-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-3-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302967

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1650
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1650

292922
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 15031
Биполярные транзисторы

Транзистор 15031

274936
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4288A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4288A

292873
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TT2144
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2144

275822
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SD1885
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1885

304488
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA539Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA539Y

303051
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1664
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1664

304374
3,20 BYN
Маркировка: DAP_DAQ_DAR Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 2N1478
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N1478

303486
5,60 BYN
Материал: Ge Структура: pnp Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C...
Транзистор 2SD1063
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1063

312511
11,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280 Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.