Транзистор VNP10N07

Транзистор VNP10N07

Артикул: 302398

Управление питанием

22,60 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
70.0 V
Номинальный Ток
10.0 A
Количество Выходных Интерфейсов
1
Выходной Ток
7 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
100 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
50 W
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
70.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
10.0 A
Выходной ток (Макс)
7 A
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.4 mm
Ширина
4.6 mm
Высота
15.75 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
302398

Просмотренные товары

Микросхема КР590КН9 DIP-16
Микросхемы отечественные

Микросхема КР590КН9 DIP-16

260738
3,52 BYN
Микросхемы представляют собой двухканальные аналоговые ключи со схемой управления (однополюсное включение). Корпус микросхем серии КР590 типа 238.16-2, серии К590—типа 402.16-18. Масса микросхемы в корпусе 238.16-2 не более 1,2 г, в корпусе 402.16-18 не более 1,3 г.
Транзистор КТ9181А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9181А

301232
0,60 BYN
Транзисторы КТ9181А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-27-2...
Транзистор ГТ346А
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ346А

268003
4,00 BYN
Транзисторы ГТ346А германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 800 и 200 МГц.Предназначены для применения в селекторах телевизионных каналов метрового и дециметрового диапазонов длин волн с автоматической регулировкой усиления.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип...
Транзистор 2SC3423 Y TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3423 Y TO126F

275378
3,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц TO126

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF9510
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9510

259909
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор H5N80 изол
Полевые транзисторы

Транзистор H5N80 изол

293208
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 100...
Транзистор P1504BDG
Полевые транзисторы

Транзистор P1504BDG

276661
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10.8 ns Выходная емкость (Cd): 255 pf...
Транзистор H60NF10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H60NF10 to220

293219
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 104 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRF7842
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7842

276415
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор UTC6N80L
Полевые транзисторы

Транзистор UTC6N80L

312100
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 138 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 95 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
Транзистор 60NF10 orig (STP60NF10)
Полевые транзисторы

Транзистор 60NF10 orig (STP60NF10)

265419
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Общий заряд затвора (Qg): 104 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS4501H
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4501H

311910
7,00 BYN
Наименование прибора: FDS4501H Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg):...
Транзистор IRFP264N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP264N

278897
23,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 380 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.