Транзистор STP9NC65FP

Транзистор STP9NC65FP

Артикул: 276120

N-CHANNEL 650V - 0.75Ω - 8A

3,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276120
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 6N62K3
Полевые транзисторы

Транзистор 6N62K3

276075
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 620 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 12NK65ZFP
Полевые транзисторы

Транзистор 12NK65ZFP

275891
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Общий заряд затвора (Qg): 62.6 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.41 Ohm TO220F
Транзистор TK13A25D
Полевые транзисторы

Транзистор TK13A25D

312093
10,00 BYN
Маркировка: K13A25D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK3711
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3711

304873
28,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор AP9977GM so8
Полевые транзисторы

Транзистор AP9977GM so8

293059
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 55 pf...
Транзистор AOD607
Полевые транзисторы

Транзистор AOD607

276173
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK1341 to3p
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1341 to3p

292954
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm
Транзистор IPW60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPW60R165CP (6R165)

265439
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Общий заряд затвора (Qg): 39 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор K2679
Полевые транзисторы

Транзистор K2679

276598
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm Тип корпуса: TO220NIS
Транзистор AP9977GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9977GH dpak (to252)

293058
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 21 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 55 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.