Транзистор 32NM50N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 62.5 nC

Время нарастания (tr): 9.5 ns

Выходная емкость (Cd): 179 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.13 Ohm

TO220