Транзистор 11NM80

Транзистор 11NM80

Артикул: 275886

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43.6 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm

TO247

19,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275886
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AO4414
Полевые транзисторы

Транзистор AO4414

276138
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4.2 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Микросхема 561ЛН2
Микросхемы отечественные

Микросхема 561ЛН2

264342
12,00 BYN
содержит шесть буферных инверторов. Для микросхемы необходимо лишь одно напряжение питания (на вывод 14), поэтому она удобна как транслятор логических уровней. Если на вывод 14 подано коллекторное напряжение Uи.п = 5 В, то можно передавать уровни от КМОП к ТТЛ, причем нагрузочная способность инвертора — два ТТЛ-входа ( I0вых ≥ 3,2 мА при выходном...
View
Транзистор 2П308Г-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П308Г-1

301638
1,08 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K494
Полевые транзисторы

Транзистор K494

276644
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Время нарастания (tr): 160...
View
Транзистор 2SK2647 to220
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2647 to220

292976
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 35 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 75 pf...
View
Транзистор IRFU3704Z
Полевые транзисторы

Транзистор IRFU3704Z

276489
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0084 Ohm TO251
View
Транзистор 2SK2624
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2624

304803
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 165 pf...
View
Транзистор IRL2505 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2505 to220

293291
15,00 BYN
Наименование прибора: IRL2505 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 104 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 86.7 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
View
Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)

265418
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.