Транзистор AO4435

Транзистор AO4435

Артикул: 276146

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 8.5 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm

Тип корпуса: SO-8

1,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276146
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AOD484
Полевые транзисторы

Транзистор AOD484

276171
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
View
Транзистор 2SK557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK557

304893
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
View
Транзистор K2961
Полевые транзисторы

Транзистор K2961

276612
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm Тип корпуса: TO92MOD
View
Транзистор 60R580P
Полевые транзисторы

Транзистор 60R580P

276070
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 34 ns Выходная емкость (Cd): 428 pf...
View
Транзистор J557
Полевые транзисторы

Транзистор J557

276556
11,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRL3705N
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3705N

276525
19,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 86 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор AP4501GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GM

276195
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5.3) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(10) ns Выходная емкость (Cd):...
View
Транзистор IRF7210
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7210

276393
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 16 A Общий заряд затвора (Qg): 212 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.007 Ohm Тип...
View
Транзистор AO4433
Полевые транзисторы

Транзистор AO4433

276145
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор IRFR310
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR310

276472
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2N5198
Полевые транзисторы

Транзистор 2N5198

275762
6,00 BYN
Тип транзистора: JFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.5 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.007 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °C
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.