Транзисторы импортные

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N526

303480

7,20 BYN

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 225mW 45V 30V 15V 500mA 100°C 1MHz 36 65T

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

264715

0,52 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 SOT23

290170

0,32 BYN

Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...

Полевые транзисторы

Транзистор 2N5457

302732

6,00 BYN

Транзистор JFET

Полевые транзисторы

Транзистор 2N5458

302733

6,40 BYN

Транзистор JFET

Полевые транзисторы

Транзистор 2N5460

302825

4,40 BYN

Транзистор JFET

Полевые транзисторы

Транзистор 2N5484

302826

7,60 BYN

Транзистор JFET

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

259995

0,32 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551 SOT23

290171

0,20 BYN

Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5583 Ni

303477

84,00 BYN

Структура npn Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5589 Au

303473

16,80 BYN

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 3W 36V 18V 4V 600mA 200°C 175MHz 30 5MIN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5609

290172

0,20 BYN

Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5610

290173

1,00 BYN

Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5657

302827

2,80 BYN

Двухполюсный плоскостной транзистор

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6027

302828

1,20 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор 2N6028

302829

4,40 BYN

Программируемые однопереходные транзисторные триггеры 40В, 300 МВт ДО-92

Полевые транзисторы

Транзистор 2N6039

302830

3,20 BYN

Транзистор

Полевые транзисторы

Транзистор 2N60C TO252 (DPAK)

275975

1,36 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.7...

Полевые транзисторы

Транзистор 2N60F to-220f

264849

3,52 BYN

N-Channel 600V 12A

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6107

302835

16,20 BYN

Биполярный транзистор, PNP, -70 В, 10 МГц, 40 Вт, -7 А, 150 hFE

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6259

302836

21,60 BYN

Двухполюсный плоскостной транзистор

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6488

275775

4,76 BYN

Корпус TO-220Вес 2 гNPN 90/80V, 75W, 15A, 5MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6491

275776

6,00 BYN

Корпус TO-220AB Вес 1,8 г PNP, 90/80V, 15A, 5MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6517

302837

2,80 BYN

Транзистор NPN 350В 0.5А

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6650

303463

8,00 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000 Корпус: TO-3

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6718V

302838

1,60 BYN

1000mA, 100V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN

Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896

1,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

Полевые транзисторы

Транзистор 2N7002

274032

0,72 BYN

N-channel, Vds=60V, 180mA, Rds=5 Om, c диодом

Полевые транзисторы

Транзистор 2N7002BKS.115

302839

2,00 BYN

Труба MOS

Биполярные транзисторы

Транзистор 2N917

259996

1,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Полевые транзисторы

Транзистор 2NK90Z dpak (to252)

293190

4,52 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.1 A Общий заряд затвора (Qg): 19.5 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm

Биполярные транзисторы

Транзистор 2PG006

311636

22,40 BYN

Наименование: 2PG006 Маркировка: DG402RP Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 430 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.75 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная...

Транзисторы IGBT

Транзистор 2PG009

302842

20,40 BYN

IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhan.

Транзисторы IGBT

Транзистор 2PG011

302843

8,60 BYN

Тип управляющего канала: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 540 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания:...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1006

312437

8,80 BYN

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В Напряжение коллектор-база, не более: -180 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус:...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1011

302844

4,40 BYN

Trans GP BJT PNP 160V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-220AB

Показано 253-288 из 5750