Механика и робототехника Насос воздушно-водяной TSVP385-6Z мембранный, штуцеры 4,8мм, напряжение питания 6 В 312949 30,00 BYN В корзину
Микросхемы импортные Микросхема LM3488MM 309238 28,00 BYN Высокоэффективный контроллер для импульсного регулятора с внешним n-канальным ключом,[SSOP-8] В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC1470H 303489 3,20 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC4662 304057 6,00 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Граничная частота коэффициента передачи... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор D1556 275611 6,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BC546B 274215 0,32 BYN NPN 80V, 0.1A, 0.5W, 300MHz,hfe_B=110-220 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BCX51-10 275133 0,60 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SB966 303268 30,20 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC3987 303878 21,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD1765 304385 4,80 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD1275A 304268 5,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1500 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор MJE15031G to220 293318 8,40 BYN Наименование производителя: MJE15031G Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BC817/T1 303676 0,12 BYN Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 600 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-23 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор FJAF6916 311593 19,40 BYN Наименование производителя: FJAF6916 Маркировка: J6916 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор D1427 275597 6,40 BYN Корпус TO-3PLВес 7 гNPN D 1500V, 5A, 80W В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD1428 292914 11,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SB1010 275050 1,56 BYN Корпус TO-92modВес 0,7 гSi-P, 40V, 2A, 0,75W, 100MHz В корзину