Транзисторы импортные

Полевые транзисторы

Транзистор K40H1203 (IKW40N120H3)

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 483W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.05V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80A

Полевые транзисторы

Транзистор K40H603 (IKW40N60H3)

276640

16,00 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBT 600V,40A_с диодом_with diodeНапряжение, V: 600IGBT с диодом: С диодомТок, A: 40

Полевые транзисторы

Транзистор K4101

276641

6,20 BYN

N-Channel Silicon MOSFET Vds=650V, Id=6,4A, Pd=35W, Rds(on) =0,85 Ohm General-Purpose Switching

Полевые транзисторы

Транзистор K4110

276642

6,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 20 ns...

Полевые транзисторы

Транзистор K427

276643

1,56 BYN

Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 15 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm

Полевые транзисторы

Транзистор K494

276644

3,40 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Время нарастания (tr): 160...

Полевые транзисторы

Транзистор K50H603 (IKW50N60H3)

276645

21,96 BYN

Корпус TO-247Вес 8 гIGBT 50A,600V_с диодом_with diodeНапряжение, V: 600IGBT с диодом: С диодомТок, A: 50

Полевые транзисторы

Транзистор K50T60 (IKW50N60T)

276646

31,64 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 333 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...

Полевые транзисторы

Транзистор K669

276647

1,56 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.1 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Выходная емкость (Cd): 6 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор K725

276648

9,60 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 330 pf Сопротивление сток-исток...

Полевые транзисторы

Транзистор K904

276649

4,44 BYN

Корпус TO-220Вес 2 гN-Channel 3A 800V 80W

Полевые транзисторы

Транзистор K955

276650

7,60 BYN

Корпус TO-3PВес 8 гN-Channel 5A 800V 125W

Биполярные транзисторы

Транзистор KD615

303036

21,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KD616

303037

21,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KD617

264794

8,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Полевые транзисторы

Транзистор KF3N40W sot223

293297

4,00 BYN

Наименование прибора: KF3N40W Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns...

Полевые транзисторы

Транзистор KF4N20LD

304976

5,40 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KF517

303856

4,80 BYN

pnp 30V 0.6A 0.8W 30MHz h21e>35

Биполярные транзисторы

Транзистор KF517B

303857

4,80 BYN

30V 0.6A 0.8W 30MHz h21e=35...120

Биполярные транзисторы

Транзистор KF630D

303858

2,80 BYN

npn 36V 0,4A 160MHz 5W TO5

Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961

9,52 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...

Полевые транзисторы

Транзистор KF9N25D dpak (to252)

293298

5,20 BYN

Наименование прибора: KF9N25D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 54.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25...

Биполярные транзисторы

Транзистор KFY16

303859

4,80 BYN

pnp 50V 0.5A 0.8W 50MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор KFY18

303860

4,80 BYN

pnp 50V 0.5A 0.8W 50MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор KFY46

303861

4,80 BYN

npn 60V 0.5A 0.8W 60MHz

Полевые транзисторы

Транзистор KGF30N60KDA orig

295610

20,00 BYN

ип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 178 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.65

Биполярные транзисторы

Транзистор KGT30N120NDH

311727

26,40 BYN

Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...

Транзисторы IGBT

Транзистор KGT50N60KDA

304936

29,00 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор KHB7D5N60P

304953

26,80 BYN

Полевые транзисторы

Транзистор KMB054N40D

302353

8,00 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...

Биполярные транзисторы

Транзистор KRA102M

303035

2,16 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор KSA733C-Y

303862

1,00 BYN

pnp 50В 0.15А 0.25W 180MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор KSC2330

303863

0,12 BYN

npn 300V 100mA TO-92L

Биполярные транзисторы

Транзистор KSD5072

311601

9,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор KTA1266Y

311604

0,40 BYN

Наименование производителя: KTA1266 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70 Корпус транзистора: TO92

Биполярные транзисторы

Транзистор KTA1267GR

311605

1,20 BYN

Наименование производителя: KTA1267-GR Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A...

Показано 4717-4752 из 5751