Транзистор КТ815Б

Транзистор КТ815Б

Артикул: 259510

Транзисторы КТ815Б кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259510
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ3102В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102В

259816
уточняйте
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются  в металлостеклянном корпусе с гибкими...
View
Транзистор 2Т316В NiB
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316В NiB

300965
уточняйте
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор 2Т652А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т652А Ni

301023
уточняйте
ранзистор 2Т652А - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий.Корпус металлокерамика.Предназначен для использования в аппаратуре специального назначения.Диапазон рабочих температур окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
View
Транзистор 2Т837В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837В

300784
уточняйте
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
View
Транзистор 2Т708А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т708А Au

301036
уточняйте
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные переключательные.Транзисторы 2Т708А, 2Т708Б, 2Т708В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
View
Транзистор КТ645Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Б

301476
уточняйте
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ8297В (марк. KSB772Y)
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8297В (марк. KSB772Y)

301111
уточняйте
КТ8297В транзистор радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи для усиления,применяется для генерации и преобразования электрических сигналов.
View
Транзистор КТ659А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ659А Au

301481
уточняйте
Транзистор КТ659А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в высокоскоростных переключающих устройствах.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 1,5 г.
View
Транзистор П308М
Транзисторы отечественные

Транзистор П308М

301370
уточняйте
Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.Выпускаются в пластмассовом корпусе.Обозначение типа приводится на корпусе.Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ1.
View
Транзистор КП723В
Транзисторы отечественные

Транзистор КП723В

301563
уточняйте
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.КП723В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления...
View
Транзистор 2П911Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П911Б Au

301659
уточняйте
Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
View
Транзистор КТ829А2
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829А2

301112
уточняйте
Описание Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КТ829А-2 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности,...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.