Транзистор 2Т875Б

Транзистор 2Т875Б

Артикул: 300810

 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы  предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.643ТУ.

27,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300810

Просмотренные товары

Транзистор STP9NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP9NK60Z

260383
9,90 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор MP1620
Биполярные транзисторы

Транзистор MP1620

275744
23,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRG4PSH71UD
Транзисторы IGBT

Транзистор IRG4PSH71UD

268394
72,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.70V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 99A
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т881В Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т881В Ni

300819
8,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в...
View
Транзистор 2Т634А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т634А-2 Au

301051
23,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 1...5 ГГц в схеме с общей базой в герметизированной аппаратуре.Бескорпусные с защитным покрытием с гибкими выводами на кристаллодержателе.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не...
View
Транзистор КТ8261А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8261А

301105
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор КП307Б1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП307Б1

301536
0,40 BYN
Транзисторы КП307Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).Технические условия: аА0.336.046 ТУ.
View
Транзистор 2Т866А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т866А Ni

300807
146,52 BYN
Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 7 г.Тип корпуса: КТ-57.Технические условия:...
View
Транзистор КТ9115
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ9115

268004
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz
View
Транзистор КТ973А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ973А

259813
1,58 BYN
Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 2Т603А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т603А Au

301014
13,00 BYN
Транзисторы 2Т603А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,75 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: И93.365.003 ТУ.
View
Транзистор КТ841Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ841Б

301131
16,00 BYN
Транзисторы КТ841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...
View
Транзистор КТ852В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ852В

301142
1,20 BYN
Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не более 2,5 г.Климатическое...
View
Транзистор КТ662А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ662А Ni

301484
3,80 BYN
Транзистор КТ662А эпитаксиально-планарный структуры p-n-p импульсный.Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 1,5 г.
View
Транзистор 2Т974Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т974Б Au

300930
80,00 BYN
Транзисторы 2Т974Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в импульсных и линейных устройствах и преобразователях.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: аА0.339.287 ТУ.
View
Транзистор 2Т505А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т505А Au

301008
13,00 BYN
Транзисторы 2Т505А кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор 2Т505А-5 выпускается в...
View
Транзистор КТ361Е2
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Е2

301398
0,40 BYN
Описание КТ361Е2 Транзисторы КТ361Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор П213
Транзисторы отечественные

Транзистор П213

301354
1,80 BYN
Транзисторы П213 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.