Транзистор 2Т875Б

Транзистор 2Т875Б

Артикул: 300810

 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы  предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.643ТУ.

27,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300810

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КП958Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП958Г

301611
3,00 BYN
Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ).Транзисторы КП958Г кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типасо статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питанияи других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.Технические условия: АДБК 432 150.376...
Транзистор 2П303Е Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Е Au

301633
4,80 BYN
Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзистор КТ683Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ683Г

301491
0,40 BYN
Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 150 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…120 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50...
Транзистор 2Т321Е Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Е Ni

300973
1,20 BYN
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзистор 2Т922В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т922В Au

300860
40,00 BYN
Транзисторы 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
Транзистор 2Т391А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391А-2 Au

300998
3,00 BYN
Транзисторы 2Т391А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами...
Транзистор 2П304А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П304А Au

301635
26,80 BYN
Транзисторы 2П304А кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения в усилителях с высоким входным сопротивлением и переключающих устройствах.
Транзистор 2Т652А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т652А Ni

301023
2,60 BYN
ранзистор 2Т652А - кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n переключающий.Корпус металлокерамика.Предназначен для использования в аппаратуре специального назначения.Диапазон рабочих температур окружающей среды составляет от минус 60 до 125 °С.
Транзистор 3П602Д-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П602Д-2 Au

301687
9,20 BYN
полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шотки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре.Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на...
Транзистор 2Т372А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т372А Au

300989
2,80 BYN
Транзисторы 2Т372А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Тип прибора указывается на ярлыке, являющемся составной...
Транзистор КТ3107Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Д

301195
0,60 BYN
Транзисторы КТ3107Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:.
Транзистор 2Т306В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т306В Au

300898
6,40 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов 2Т306А-2Т306Г и КТ306А-КТ306Д указывается на корпусе.На приборах в...
Транзистор 2П922А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П922А Au

301662
21,60 BYN
Транзисторы 2П922А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и вертикальным индуцированным каналом n-типа переключательные.Транзисторы 2П922А, 2П922Б предназначены для применения в источниках вторичных электропитания, быстродействующих переключающих и импульсных устройствах, а также стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Транзистор КТ502Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ502Д

301421
0,52 BYN
Транзисторы КТ502Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.