Транзистор КТ611БМ

Транзистор КТ611БМ

Артикул: 301453

КТ611БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах.
Корпус транзисторов КТ611АМ, КТ611БМ пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: KT-27-2.

0,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301453

Просмотренные товары

Микросхема ADG736BRMZ
Микросхемы импортные

Микросхема ADG736BRMZ

305277
8,80 BYN
Тип переключатель Конфигурация 2 х spdt Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 4 Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +1.8…5.5 Время включения, Ton (Max), нс 12(тип) Время отключения, Toff (Max), нс 5(тип) Рабочая температура, °C -40…+125 Корпус msop-10 Вес, г 0.08
View
Транзистор 2SK1413
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1413

304724
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 90 pf...
View
Транзистор IRG4BC30W-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30W-S

276498
6,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ829A
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829A

259526
2,46 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.
View
Транзистор 2Т913В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т913В Au

300849
37,60 BYN
Транзисторы 2Т913В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...1000 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор 2Т504Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т504Б Ni

301007
5,40 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы 2Т504А, 2Т504Б, 2Т504В предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор КТ3151А9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151А9

301278
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
View
Транзистор 2Т925А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т925А Au

300861
27,00 BYN
Транзисторы 2Т925А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор 2Т866А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т866А Au

300805
290,00 BYN
Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 7 г.Тип корпуса: КТ-57.Технические условия:...
View
Транзистор КТ3123БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123БМ

301209
2,00 BYN
Транзисторы КТ3123БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные, с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с...
View
Транзистор КТ829АТ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829АТ

301114
3,00 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор 2Т208Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Г Ni

300764
2,20 BYN
Транзисторы 2Т208Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.
View
Транзистор КП745Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП745Г

301579
1,60 BYN
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.КП745Г пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой...
View
Транзистор КП308В-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП308В-1

301538
1,20 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КП308В-1 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор 2Т709В2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т709В2

301040
5,40 BYN
Транзисторы 2Т709В2 кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не...
View
Транзистор 2Т3164А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3164А Au

300958
21,60 BYN
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы 2T3164A и структуры2Т3164А-5 предназначены для применения в усилительных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т3164А) и в бескорпусном исполнении на пластине,кристаллы неразделенные (2Т3164А-5).Маркировка...
View
Транзистор КП301
Транзисторы отечественные

Транзистор КП301

259837
4,40 BYN
Малошумящие планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей и нелинейных малосигнальных каскадах с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+70 °С.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.