Транзистор FDD8647L

Транзистор FDD8647L

Артикул: 276317

Корпус TO-252 (D-PAK)
Вес 0,4 г
N-Channel 40V,42A,9 mOm PowerTrench® MOSFET

5,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276317
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2Т9112А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9112А Ni

300841
30,00 BYN
2Т9112АТранзистор 2Т9112А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный с рассеиваемой мощностью более 5 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока более 30 МГц .Предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах.Транзисторы 2Т9112А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными...
View
Микросхема 1407УД3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1407УД3 Au

299483
13,20 BYN
1407УД3 Au представляют собой малошумящий широкополосный операционный усилитель с регулируемым током управления и применяются в качестве видеоусилителей, чувствительных предусилителей фоторезисторов. Оптимизированы для работы с источником сигналов от 100 Ом до 10 кОм.Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TK5A50D
Полевые транзисторы

Транзистор TK5A50D

276740
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор FSW25N50A
Полевые транзисторы

Транзистор FSW25N50A

282562
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 117 ns Выходная емкость (Cd): 410...
View
Транзистор AO4433
Полевые транзисторы

Транзистор AO4433

276145
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор H2N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H2N60 to220

293188
4,40 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.6...
View
Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
View
Транзистор APT8030LVRG
Полевые транзисторы

Транзистор APT8030LVRG

276274
35,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 340 nC Время нарастания (tr): 14...
View
Транзистор IRG4BC20U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20U

276492
12,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
View
Транзистор MDF7N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF7N65B

279545
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 142 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 150 ns Выходная емкость (Cd): 140...
View
Транзистор 27P06
Полевые транзисторы

Транзистор 27P06

275972
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор Si4825 so8
Полевые транзисторы

Транзистор Si4825 so8

293392
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор IPB60R165CP (6R165)
Полевые транзисторы

Транзистор IPB60R165CP (6R165)

265438
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 192 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 7NK80ZT4
Полевые транзисторы

Транзистор 7NK80ZT4

276092
5,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 04N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N60C3

275854
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор K427
Полевые транзисторы

Транзистор K427

276643
1,56 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 15 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 1.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm
View
Транзистор FDD6530
Полевые транзисторы

Транзистор FDD6530

276312
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.