Транзистор 2П923Г Au

Транзистор 2П923Г Au

Артикул: 301666

Транзисторы 2П923Г полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные.
Полевые транзисторы  предназначены для применения в генераторах и усилительных устройствах на частотах до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 8 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Технические условия: аА0.339.605 ТУ.

43,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301666

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КП745Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП745Г

301579
1,60 BYN
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.КП745Г пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой...
Транзистор 2Т506Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Au

301012
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
Транзистор КТ361Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Д

301397
0,80 BYN
Транзисторы КТ361Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-13.Климатическое...
Транзистор КТ809А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ809А

282659
15,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 400 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 400 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(5000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (40) Вт Статический...
Транзистор КТ3151А9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3151А9

301278
0,40 BYN
Транзисторы КТ3151А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях, генераторах, импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем с общей герметизацией.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими...
Транзистор 3П328А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П328А-2

301679
3,20 BYN
Транзисторы 3П328А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.Транзисторы 3П328А-2, АП328А-2 бескорпусные на...
Транзистор 2Т818Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т818Б

259515
3,52 BYN
Транзисторы 2Т818Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса не более 20 г.
Транзистор 2Т215В-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т215В-1

300896
1,20 BYN
2Т215В-1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Транзистор КТ840А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ840А

259793
9,00 BYN
Транзисторы КТ840А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.
Транзистор 2Т933Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т933Б Ni

300872
2,20 BYN
Транзисторы 2Т933А, 2Т933Б  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзисторов 2Т933А, 2Т933Б не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические...
Транзистор КТ361Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Е

259447
0,80 BYN
Транзисторы КТ361Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
Транзистор КТ3123
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3123

259821
1,60 BYN
Транзисторы КТ3123АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.Масса транзисторов не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-29.
Транзистор КТ814В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814В

259508
0,80 BYN
Транзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Транзистор КТ814Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ814Г

259509
1,32 BYN
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.