Транзистор 2Т876А

Транзистор 2Т876А

Артикул: 300811

Транзисторы 2Т876А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.560 ТУ.

64,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 300811

Просмотренные товары

Тиристор КУ202Д1

Каталог

Тиристор КУ202Д1

Тиристоры кремниевые, планарно-диффузионные, структуры p-n-p-n, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Тиристор КУ203Г

Каталог

Тиристор КУ203Г

Постоянное напряжение в закрытом состоянии 200 В Постоянный импульсный ток в открытом состоянии - 100 А Средний ток в открытом состоянии 5 А Импульсное напряжение в открытом состоянии <=2 В Неотпирающее постоянное напряжение управления >=0,1 В Постоянный ток в закрытом состоянии <=10 мА Постоянный обратный ток <=10 мА Отпирающий постоянный ток...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ6114Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6114Г

Транзистор КТ6114А кремниевый биполярный n-р-n, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Корпусное исполнение: корпус КТ-26 (ТО-92).Технические условия: АДБК.432140.422ТУ.

Транзистор КТ660А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ660А

Транзисторы КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний.Корпус пластмассовой с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.На транзистор наносится условная цветная маркировка: -...

Транзистор 2Т933Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т933Б Ni

Транзисторы 2Т933А, 2Т933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в металлостеклянных корпусах с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзисторов 2Т933А, 2Т933Б не более 1,5 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические...

Транзистор КТ342

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ342

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.

Транзистор 2Т689АС Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т689АС Au

Транзисторы 2Т689АС p-n-p биполярные переключательные импульсные с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.Тип корпуса: 401.14-6.Технические условия: аА0.339.758ТУ.

Транзистор П214В

Транзисторы отечественные

Транзистор П214В

Транзисторы П214В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...

Транзистор КТ920Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ920Б Au

Транзисторы КТ920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом...

Транзистор 2Т208Д Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208Д Au

Структура pnp, Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30, Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30, Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15

Транзистор КТ837И

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор 2П913Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П913Б Au

Транзисторы 2П913Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.Полевые транзисторы 2П913А, 2П913Б, 2П913В, 2П913Г предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также для работы в переключающих устройствах.

Транзистор 2Т3132А-5

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3132А-5

транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с нормированным коэффициентом шума, применяется в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Транзистор 2П303Е Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2П303Е Ni

Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.

Транзистор КТ8297Б (марк. KSB772O)

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8297Б (марк. KSB772O)

КТ8297Б транзистор радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи для усиления,применяется для генерации и преобразования электрических сигналов.

Транзистор КТ8131В

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8131В

Транзисторы КТ8131В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и ключевых схемах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на...

Транзистор 2Т837Б

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837Б

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.Основные...

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830А Ni

Транзисторы 2Т830А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.