Транзистор КП302ВМ

Транзистор КП302ВМ

Артикул: 259838

полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, планарный, кремниевый. Используется в коммутирующих и переключающих устройствах и в широкополосных усилителях. Предельный диапазон частот до 150 МГц. Имеет металлостеклянный корпус, выводы гибкие. На корпусе указывается тип транзистора. Весит не более 1.5 г.

4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259838
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Тразистор КП327А
Транзисторы отечественные

Тразистор КП327А

301542
5,52 BYN
Транзисторы КП327А кремниевые планарные с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа.Предназначены для применения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и метрового диапазонов длин волн и усилителях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Маркируются цветными точками:   КП327А -...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ3130Г9
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3130Г9

301261
0,40 BYN
 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату.
Транзистор КТ3114Б-6
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3114Б-6

301204
2,20 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КТ3114Б-6 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
Транзистор КТ209И
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209И

301170
0,40 BYN
Транзисторы КТ209И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта...
Транзистор 2Т215В-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т215В-1

300896
1,20 BYN
2Т215В-1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Транзистор 2Т3123А-6
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3123А-6

300907
2,80 BYN
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2 и транзисторы КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2бескорпусные кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы,выполненные в микроисполнении на керамическом негерметезированном держателе,размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2 по ГОСТ 18472-88,предназначены для применения в линейных, импульсных и ключевых...
Транзистор МП25Б
Транзисторы отечественные

Транзистор МП25Б

301342
0,80 BYN
Транзисторы МП25Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.336.623 ТУ.
Транзистор 2Т709А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т709А

301037
13,00 BYN
Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Транзисторы 2Т709А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные...
Транзистор 2Т962Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т962Б Au

300917
27,00 BYN
Транзисторы 2Т962Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Внутри корпуса имеется...
Транзистор 2П829А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П829А Au

301653
748,00 BYN
Транзисторы 2П829А кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более...
Транзистор 2Т321Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321Г Ni

300971
0,40 BYN
Транзисторы 2Т321Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
КТ816В
Транзисторы отечественные

КТ816В

299911
1,32 BYN
Транзисторы КТ816В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип...
Транзистор КТ503В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503В

301424
0,60 BYN
Транзисторы КТ503А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзистор КП809Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП809Б

301597
18,40 BYN
Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления...
Транзистор 1Т403Д
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Д

300726
0,60 BYN
Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
Транзистор КТ605АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ605АМ

301440
0,40 BYN
Транзисторы КТ605АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Покупатели этого товара так же приобрели:

Микросхема 140УД601А Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 140УД601А Ni

299519
7,00 BYN
 представляют собой операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким усилением, с малыми входными токами, с внутренней частотной коррекцией и схемой защиты выхода от короткого замыкания.Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом...
Эмальпровод ПЭТВ-2 0,315 мм катушка 500 г ( 720м)
Провод обмоточный ПЭТВ-2

Эмальпровод ПЭТВ-2 0,315 мм катушка 500 г ( 720м)

313624
136,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....
Транзистор КП305Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП305Г

259844
7,00 BYN
Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы КП305 с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высоких и низких частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.
Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Тразистор КП327А
Транзисторы отечественные

Тразистор КП327А

301542
5,52 BYN
Транзисторы КП327А кремниевые планарные с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа.Предназначены для применения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и метрового диапазонов длин волн и усилителях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Маркируются цветными точками:   КП327А -...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.