Транзистор КП305Г

Транзистор КП305Г

Артикул: 259844

Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы КП305 с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высоких и низких частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259844
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КП302ВМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КП302ВМ

259838
4,20 BYN
полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа, планарный, кремниевый. Используется в коммутирующих и переключающих устройствах и в широкополосных усилителях. Предельный диапазон частот до 150 МГц. Имеет металлостеклянный корпус, выводы гибкие. На корпусе указывается тип транзистора. Весит не более 1.5 г.
Микросхема 140УД601А Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 140УД601А Ni

299519
7,00 BYN
 представляют собой операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким усилением, с малыми входными токами, с внутренней частотной коррекцией и схемой защиты выхода от короткого замыкания.Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ898А
Каталог

Транзистор КТ898А

299912
9,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 350 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 350 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20000(30000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (125) Вт Статический...
Транзистор КТ209Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209Ж

301169
0,40 BYN
Транзисторы КТ209Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта...
Транзистор 2Т866А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т866А Ni

300807
146,52 BYN
Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 7 г.Тип корпуса: КТ-57.Технические условия:...
Транзистор КТ683Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ683Б

301489
1,40 BYN
Транзисторы КТ683Б кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не...
Транзистор КТС398А-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТС398А-1

301327
0,80 BYN
 состоящие каждая из двух изготовленных на одном кристалле кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n усилительных транзисторов с раздельными выводами.Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах, в которых требуется идентичность параметров двух...
Транзистор 2Т325В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т325В Au

300976
9,60 BYN
Транзисторы 2Т325В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип приборов 2Т325А, 2Т325Б, 2Т325В, КТ325А, КТ325Б, КТ325В указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1,2 г.Тип...
Транзистор КТ878Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ878Б

301185
10,80 BYN
Транзисторы КТ878Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными...
Транзистор 2Т989А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т989А Au

300943
91,80 BYN
Транзисторы 2Т989А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности, работающих в диапазоне частот 2 ГГц при напряжении питания 28 В в схеме с общей базой.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не...
Транзистор 2Т922В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т922В Au

300860
40,00 BYN
Транзисторы 2Т922Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
Транзистор 2Т3158А-2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3158А-2

300956
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2Т3164А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3164А Au

300958
21,60 BYN
Кремниевые планарно-эпитаксиальные р-п-р высокочастотные транзисторы 2T3164A и структуры2Т3164А-5 предназначены для применения в усилительных и импульсных устройствах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т3164А) и в бескорпусном исполнении на пластине,кристаллы неразделенные (2Т3164А-5).Маркировка...
Транзистор 2Т3124В-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3124В-2 Au

300910
2,80 BYN
2Т3124В-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в малошумящих усилителях сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию.
Транзистор КТ997А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ997А

301317
1,40 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 45 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 10000(20000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт Статический...
Транзистор КТ203В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ203В

259419
0,40 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы КТ203А, КТ203Б, КТ203В, КТ203Г предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.
Транзистор 2Т882А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т882А

300826
8,00 BYN
B1-B2/Iк /А статический коэффициент передачи тока Fт МГц предельная частота коэффициента передачи тока Cк/Uк пф/В емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется Cэ/Uэ пф/В емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется Rб*Cк псек постоянная времени цепи обратной...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Микросхема 140УД601А Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 140УД601А Ni

299519
7,00 BYN
 представляют собой операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким усилением, с малыми входными токами, с внутренней частотной коррекцией и схемой защиты выхода от короткого замыкания.Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом...
Транзистор 2N7000 (VN2222)
Полевые транзисторы

Транзистор 2N7000 (VN2222)

265896
1,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 40 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Эмальпровод ПЭТВ-2 0,315 мм катушка 500 г ( 720м)
Провод обмоточный ПЭТВ-2

Эмальпровод ПЭТВ-2 0,315 мм катушка 500 г ( 720м)

313624
136,00 BYN
Область применения ПЭТВ-2:  Провод  применяется для изготовления обмоток  температурного класса "В": измерительных и регистрирующих приборов, телефонных капсюлей, двигателей малой мощности, электромагнитов и сухих трансформаторов. Провод обладает отличными механическими свойствами, эти свойства позволяют использовать провод для механизированной намотки....
Тразистор КП327А
Транзисторы отечественные

Тразистор КП327А

301542
5,52 BYN
Транзисторы КП327А кремниевые планарные с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа.Предназначены для применения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и метрового диапазонов длин волн и усилителях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами.Маркируются цветными точками:   КП327А -...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.