Транзистор GW60V60DF

Транзистор GW60V60DF

Артикул: 268386

Маркировка: GW60V60DF

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 20

Емкость коллектора (Cc), pf: 280

21,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

 

IGBT 600 V,60A,trench gate field-stop very high speed_с диодом_with diode
268386
Новый товар

Просмотренные товары

Диоды СВЧ 2А139БС-4
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А139БС-4

294574
42,16 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А139АС-4:• Рабочая частота: до 3 ГГц;• Нормированный коэффициент шума: не более 6 дБ;• Непрерывная рассеиваемая мощность: 150 мВт;• Импульсная рассеиваемая мощность: 500 мВт;• Температура окружающей среды: -60...+125°С;• Минимальная наработка: 25000 ч;• Срок сохраняемости: 25 лет
Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )
Полевые транзисторы

Транзистор K2232 ( ДЕМОНТАЖ )

276582
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.046 Ohm TO220

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGB20B60PD1 to-220

266565
25,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 215W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.35V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A
Транзистор RJH60F5
Транзисторы IGBT

Транзистор RJH60F5

266693
24,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 260.4 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.37V Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 80 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор G40N150D
Транзисторы IGBT

Транзистор G40N150D

268385
40,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 3.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 180
Транзистор IRGP4086
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4086

266602
23,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70A

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.