Транзистор MJE350 (KSE350)

Транзистор MJE350 (KSE350)

Артикул: 264635

PNP 300V, 0.5A, 20W, 10MHz

1,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264635
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор BU2508AX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2508AX orig

275213
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Микросхема 1417УД29А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1417УД29А Au

299527
10,80 BYN
представляет собой операционный усилитель с полевым входом.Предназначена для атомной энергетики и программ Роскосмоса, поставляются в корпусах с золотым покрытием.Изготовлены по биполярной технологии и используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для...
View
Микросхема 564ЛC1В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛC1В Ni

300343
2,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП. представляет собой три логических элемента 3И-ИЛИ.Содержит 96 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: АЕЯР.431200.136-29 ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В. Минимальный срок сохраняемости микросхем при их...
View
Микросхема 133ЛА15 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ЛА15 Au

299310
8,00 BYN
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляет собой элемент сопряжения МОП ЗУ – ТТЛ (четыре логических элемента «2И-НЕ»). Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон температур • диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 °С Корпусное исполнение • корпус...
View
Транзистор FZT751T sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор FZT751T sot223

293126
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC1514
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1514

303491
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2N2219A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2219A

259986
14,30 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В Напряжение коллектор-база, не более: 75 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Граничная частота коэффициента передачи тока:...
View
Транзистор 2SC3149
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3149

303662
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1846-R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1846-R

303511
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SC3150
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3150

260132
4,97 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3206Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3206Y

303683
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус...
View
Транзистор 2SC3194
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3194

275357
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 TO92
View
Транзистор 2SC1625
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1625

303496
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2258
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2258

303601
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD826
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD826

304641
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BCX41
Биполярные транзисторы

Транзистор BCX41

275131
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SC5047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5047

304090
49,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.