Транзистор MJE13009-L to3p

Транзистор MJE13009-L to3p

Артикул: 293316

 NPN 400В 12А 100Вт 9МГц

8,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293316

Просмотренные товары

Микросхема 564ИП5 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ИП5 Ni

300250
2,60 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП.Микросхемы 564ИП5 представляют собой универсальный двухразрядный умножитель.Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускается в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами указывается...
View
Микросхема 564ЛН2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛН2В Au

300336
13,00 BYN
— цифровая микросхема 564-ой серии, являются транзисторной логикой с функционалом шесть логических элементов НЕ и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически...
View
Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным...
Датчики

Гироскоп-акселерометр MPU-6050 со встроенным микроконтроллером

306768
32,64 BYN
Гироскоп-акселерометр трех-координатный на базе чипа MPU-6050 со встроенным микроконтроллером STM32.  Встроенный микроконтроллер получает данные с MPU-6050, обрабатывает их согласно командам собственной программы (фильтрация Калмана, комплиментарный фильтр и другие) и отправляет по асинхронному протоколу информацию, которая содержит данные о курсе, крене...
View
Микросхемы 1526ИР9 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхемы 1526ИР9 Ni

299742
6,40 BYN
4-х разрядный последовательно-параллельный регистр Технология – КМОП Технические условия исполнения АЕЯР.431200.126-02ТУ, АЕЯР.431200.127-06ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Краткие основные характеристики: Номинальный диапазон напряжений питания от 4,5В до 11В. Номинальный диапазон рабочих температур...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BSR14 sot23
Биполярные транзисторы

Транзистор BSR14 sot23

293081
2,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.425 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SA1186
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1186

302886
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1783
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1783

304386
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000 Корпус транзистора: TO220
View
Транзистор 2SD1581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1581

304329
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
View
Транзистор BD943
Биполярные транзисторы

Транзистор BD943

275162
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3631
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3631

275388
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1889
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1889

260203
5,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
View
Транзистор 2SA1428
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1428

302993
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г
Биполярные транзисторы

Транзистор BD139-16 аналог КТ815Г

303739
0,96 BYN
труктура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Корпус: TO-126
View
Транзистор 2SC3619
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3619

275387
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SC1921
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1921

303514
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SD1541
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1541

304324
19,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.