Транзистор 2SD773

Транзистор 2SD773

Артикул: 303647

СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В17Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2Статический коэффициент передачи тока h21э мин135Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт1Корпусsp8Вес, г0.7

0,96 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303647

Просмотренные товары

Микросхема 308НР6 "5"
Микросхемы отечественные

Микросхема 308НР6 "5"

300007
43,00 BYN
— интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные предназначены для использования в измеряющей и вычисляющей технике для работы в схемах постоянного и переменного тока. Устанавливаются в РЭА в большой области электроники с функционалом последовательный разделитель константного и гормонического переменного...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4662
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4662

304057
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SB1142
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1142

275060
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD2125
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2125

304523
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5480
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5480

275491
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4 TO3PFM
Транзистор IKW30N60H3
Биполярные транзисторы

Транзистор IKW30N60H3

311654
26,40 BYN
Наименование: IKW30N60H3 Маркировка: K30H603 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Тип корпуса: TO247
Транзистор 2SD716
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD716

304629
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5636
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5636

304159
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 6 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SB1340
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1340

275070
4,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MJF15031 to220 изол
Биполярные транзисторы

Транзистор MJF15031 to220 изол

293321
11,60 BYN
Наименование производителя: MJF15031 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор 2SA1626
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1626

303018
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.