Транзистор GT40Q321

Транзистор GT40Q321

Артикул: 311645

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 42A 170000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PN

19,80 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311645

Просмотренные товары

Микросхема ADG608BR
Микросхемы импортные

Микросхема ADG608BR

305093
28,00 BYN
Тип мультиплексор Конфигурация 1 x 8:1 Сопротивление канала во включенном состоянии (Max), Ом 30 Напряжение питания: одиночное (В+), двойное (В±) +3.3…5, ±5 Время включения, Ton (Max), нс 75 Время отключения, Toff (Max), нс 45 Рабочая температура, °C -40…+85 Корпус soic-16 Вес, г 0.3
Транзистор 1Т403Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Г

300725
1,00 BYN
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
Транзистор КП502А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП502А

301547
1,48 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала.КП502А предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным  управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой...
Транзистор 1NK60Z so-8
Полевые транзисторы

Транзистор 1NK60Z so-8

275937
1,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA1264n pnp 120V 8A 80W 30MHz 450pF
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1264n pnp 120V 8A 80W 30MHz 450pF

302911
10,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4064 TO220F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4064 TO220F

304003
24,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор 2SD1525
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1525

304323
46,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор SKB15N60
Биполярные транзисторы

Транзистор SKB15N60

311733
15,20 BYN
Наименование: SKB15N60 Маркировка: K15N60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 139 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31 Тип корпуса: D2PAK(TO263)
Транзистор MD1802FX isowatt218fx
Биполярные транзисторы

Транзистор MD1802FX isowatt218fx

293299
6,40 BYN
Наименование производителя: MD1802FX Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 57 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A...
Транзистор D1414
Биполярные транзисторы

Транзистор D1414

275595
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000 TO220F
Транзистор 2SC536
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC536

275477
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D1796
Биполярные транзисторы

Транзистор D1796

275620
4,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SD2058
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2058

292933
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3950 TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3950 TO126F

303873
13,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.