Транзистор BFG540W/X ( N7 )

Транзистор BFG540W/X ( N7 )

Артикул: 275195

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

0,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275195
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор TT2062
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2062

275816
4,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор FDS6670
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6670

276338
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA564R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA564R

303052
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SD883
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD883

304646
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Транзистор 2SC3779
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3779

275395
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1402
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1402

304299
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MJE1302
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE1302

304860
0,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -260 В Напряжение коллектор-база, не более: -260 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 75 до 150 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц Корпус:...
Транзистор 2SD2083
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2083

304517
135,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1693
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1693

260032
20,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC1879
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1879

264738
30,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BDP954
Биполярные транзисторы

Транзистор BDP954

303744
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 3 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 475 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223
Транзистор 2SA1727
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1727

303029
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 280...
Транзистор BD250A
Биполярные транзисторы

Транзистор BD250A

275144
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.