Транзистор BDP949H6327XTSA1

Транзистор BDP949H6327XTSA1

Артикул: 303978
5,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Частота100 MHz

ПолярностьNPN

Рассеяние Мощности5 W

Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)60 V

Непрерывный ток коллектора3A

hFE Min100 @500mA, 1V

Максимальная входная мощность5 W

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-65 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)5000 mW

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов4

Корпус/ПакетSOT-223-4

размеры

Корпус/ПакетSOT-223-4

физическое

МатериалSilicon

Рабочая Температура150℃ (TJ)

303978

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1300
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1300

264699
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.72 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3855 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3855 to3p

292867
24,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Транзистор BSP52T1G
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP52T1G

303807
0,40 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 90 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Корпус: SOT-223
Транзистор 2SD1546
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1546

292918
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1443
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1443

275079
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор A1048
Биполярные транзисторы

Транзистор A1048

274969
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.