Транзистор BCX71G

Транзистор BCX71G

Артикул: 303728
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220
  • Корпус: SOT-23
0,12 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303728

Просмотренные товары

Транзистор 2SA958
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA958

303076
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор AP9561
Полевые транзисторы

Транзистор AP9561

276214
6,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 39 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 46 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4766
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4766

304071
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1609

304332
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2N5401 SOT23
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 SOT23

290170
0,32 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная...
View
Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BD650
Биполярные транзисторы

Транзистор BD650

312585
16,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
View
Транзистор BU407
Биполярные транзисторы

Транзистор BU407

275233
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC945
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC945

264679
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1286
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1286

302918
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC103 M(T)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC103 M(T)

275286
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная...
View
Транзистор 2SB1121
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1121

303126
8,60 BYN
Маркировка: BDR_BDS_BDT_BDU Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная...
View
Транзистор 2SA608
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA608

264653
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3242
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3242

303693
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1627
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1627

303498
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.