Транзистор BCX71G

Транзистор BCX71G

Артикул: 303728
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 220
  • Корпус: SOT-23
0,12 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303728

Просмотренные товары

Транзистор IRFD123
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD123

276442
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 150...
View
Транзистор 2N3866A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3866A

259993
17,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA1358
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1358

302962
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2581

303617
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz...
View
Транзистор 2SD313
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD313

260214
3,30 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц...
View
Транзистор D1843
Биполярные транзисторы

Транзистор D1843

275626
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000 TO92
View
Транзистор 2SC8050 (KTS8050,S8050) to92 npn
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC8050 (KTS8050,S8050) to92 npn

292905
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SD467
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD467

312539
1,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 25 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 85 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 280 МГц Корпус: TO-92
View
Транзистор 2SA970
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970

264631
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD2045
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2045

304512
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BU508DW orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU508DW orig

275248
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SC5048
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5048

264778
6,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор KTD2058Y
Биполярные транзисторы

Транзистор KTD2058Y

311610
4,20 BYN
Наименование производителя: KTD2058 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
View
Транзистор 2SC5801
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5801

275549
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SD636
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD636

304623
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.