Транзистор BSX59

Транзистор BSX59

Артикул: 303811

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

1,36 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303811

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BU807 orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU807 orig

275252
4,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4722
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4722

275441
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SC4137
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4137

304008
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Транзистор 2SD1453
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1453

304310
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Транзистор 2N5583 Ni
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5583 Ni

303477
84,00 BYN
Структура npn Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с...
Транзистор A1533
Биполярные транзисторы

Транзистор A1533

275003
0,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 90 до 220 Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц
Транзистор 2SA1317
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1317

292799
0,48 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SB84
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB84

303256
21,60 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 80...
Транзистор NGTB40N120S3WG
Биполярные транзисторы

Транзистор NGTB40N120S3WG

311729
48,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 535 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор BC817-16
Биполярные транзисторы

Транзистор BC817-16

275119
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2371
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2371

303610
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz...
Транзистор 2SD773
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD773

303647
0,96 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В17Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2Статический коэффициент передачи тока h21э мин135Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность...
Транзистор D1450
Биполярные транзисторы

Транзистор D1450

275599
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400 SC72
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.