Транзистор 2SD718 to-3p

Транзистор 2SD718 to-3p

Артикул: 266053

NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W (Comp. KTB688)

7,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

NPN Hi-Fi, 120V, 10A, 80W (Comp. KTB688)

266053
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор H19NM50 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H19NM50 to247

293176
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор NTD4804N dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор NTD4804N dpak (to252)

293333
9,20 BYN
Наименование прибора: NTD4804N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 93.75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 117 A Максимальная температура...
View
Транзистор 2Т321А Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т321А Ni

300969
0,80 BYN
Транзисторы 2Т321А кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 2,2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
View
Микросхема 512ПС10 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 512ПС10 Au

300036
27,00 BYN
Микросхема 512ПС10 - микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ503В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503В

301424
0,60 BYN
Транзисторы КТ503А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2SB778 to-3pf
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB778 to-3pf

266690
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC144EL
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC144EL

303488
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 225...
View
Транзистор 2SD2634
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2634

304568
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Статический коэффициент передачи тока...
View
Транзистор 2SA1694
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1694

260033
12,10 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1391
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1391

304279
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
View
Транзистор 2SC3457
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3457

303770
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

275392
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1208
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1208

302890
1,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150...
View
Транзистор 2SC3942
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3942

303872
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
View
Транзистор 2SD2089
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2089

260207
23,10 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ503В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503В

301424
0,60 BYN
Транзисторы КТ503А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор 2SB778 to-3pf
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB778 to-3pf

266690
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.