Транзистор 2SB774

Транзистор 2SB774

Артикул: 312453
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -30 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -15 V
  • Ток коллектора, не более: -0.1 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 219 до 460
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
  • Корпус: TO-92
1,12 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312453

Просмотренные товары

Транзистор 2SK2324
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2324

304787
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 35 pf...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MPSA56
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA56

275752
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N5192
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5192

303481
1,36 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 80 Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц Корпус: TO-126
View
Транзистор BC338-40 TO92
Каталог

Транзистор BC338-40 TO92

303666
1,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 630 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
View
Транзистор A1145
Биполярные транзисторы

Транзистор A1145

274974
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор BC182
Биполярные транзисторы

Транзистор BC182

275100
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB698F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB698F

260092
2,20 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -20 В Напряжение коллектор-база, не более: -25 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320 Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SC5445
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5445

304143
37,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD428
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD428

312540
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 140 Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц Корпус: TO-3
View
Транзистор BD250A
Биполярные транзисторы

Транзистор BD250A

275144
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4891
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4891

292880
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.