Транзистор MJ4502

Транзистор MJ4502

Артикул: 302979
23,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
-100 V
Номинальный Ток
-30.0 A
Полярность
PNP
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
100 V
Непрерывный ток коллектора
30A
hFE Min
25 @7.5A, 2V
hFE Max
100
Максимальная входная мощность
200 W
Рабочая температура (Макс)
200 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
200000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-3
физическое
Материал
Silicon
302979

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 15022
Биполярные транзисторы

Транзистор 15022

274931
21,56 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В Напряжение коллектор-база, не более: 350 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Транзистор 2SB1168
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1168

303131
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1267
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1267

304265
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор 2SD1680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1680

292923
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор 2SA720
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA720

303063
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 16212
Биполярные транзисторы

Транзистор 16212

274939
32,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB885
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB885

303261
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
Транзистор 2SC548B
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC548B

304148
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор 2SA102M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA102M

302847
2,20 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.06 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15...
Транзистор 2SB941
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB941

292827
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.